為什么碳化硅MOSFET會(huì)取代IGBT?

碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它們具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通電阻、更高的耐壓和更高的結(jié)溫，因此在高頻、高壓和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊應(yīng)用中仍具有優(yōu)勢(shì)。

傾佳電子致力于國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！

從目前來看，碳化硅MOSFET在以下應(yīng)用中已經(jīng)開始取代IGBT：

電動(dòng)汽車：碳化硅MOSFET可以顯著提高電動(dòng)汽車的效率和續(xù)航里程，因此在電動(dòng)汽車的牽引逆變器中得到了廣泛應(yīng)用。

光伏發(fā)電：碳化硅MOSFET可以提高光伏發(fā)電系統(tǒng)的效率和功率密度，因此在光伏逆變器中得到了廣泛應(yīng)用。

軌道交通：碳化硅MOSFET可以提高軌道交通系統(tǒng)的效率和可靠性，因此在軌道交通的變流器中得到了廣泛應(yīng)用。

隨著碳化硅MOSFET技術(shù)的不斷發(fā)展和成本的不斷降低，碳化硅MOSFET將在更多的應(yīng)用中取代IGBT。

具體來說，碳化硅MOSFET在以下方面具有優(yōu)勢(shì)：

開關(guān)速度：碳化硅MOSFET的開關(guān)速度是IGBT的2-3倍，這意味著碳化硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而降低功率損耗。

導(dǎo)通電阻：碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻是IGBT的1/3左右，這意味著碳化硅MOSFET可以降低功耗。

耐壓：碳化硅MOSFET的耐壓可以達(dá)到IGBT的2-3倍，這意味著碳化硅MOSFET可以應(yīng)用于更高電壓的場(chǎng)合。

結(jié)溫：碳化硅MOSFET的結(jié)溫可以達(dá)到IGBT的2倍以上，這意味著碳化硅MOSFET可以應(yīng)用于更高溫度的場(chǎng)合。

當(dāng)然，碳化硅MOSFET也存在一些不足，例如：

成本：碳化硅MOSFET的成本目前仍高于IGBT。

可靠性：碳化硅MOSFET的可靠性與IGBT相比仍存在一定差距。

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成本的不斷降低，碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)將更加明顯，取代IGBT的趨勢(shì)將更加明顯。

傾佳電子專業(yè)分銷BASiC基本?碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?單管IGBT，BASiC基本?IGBT模塊，BASiC基本?三電平IGBT模塊，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型三電平IGBT模塊，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

傾佳電子專業(yè)分銷基本?隔離驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A，絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；低傳輸延時(shí)至45ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD21520M提供禁用管腳（DIS）和死區(qū)設(shè)置（DT）,BTD21520S提供禁用管腳（DIS)， BTD21520E 提供單一PWM輸入；副邊VDD欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，?BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)IC，輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW8封裝，3000Vrms@SOP8封裝；抗干擾能力強(qiáng)，高達(dá)100V/ns；傳輸延時(shí)低至60ns；分別提供 3 種管腳配置：BTD5350M 提供門極米勒鉗位功能，BTD5350S 提供獨(dú)立的開通和關(guān)斷輸出管腳，BTD5350E 對(duì)副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能；副邊VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選：分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR?，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款單通道智能隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，采用磁隔離技術(shù)；絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW16封裝；輸出峰值電流典型值15A；管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能，集成原副邊電源欠壓保護(hù)；集成副邊電源穩(wěn)壓器功能，此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓，使驅(qū)動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負(fù)壓，適用在給電壓等級(jí)1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動(dòng)器，輸出側(cè)采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5A，上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用，以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力；信號(hào)輸入腳最大可抗-5V的持續(xù)負(fù)壓，支持4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)：BTL27523帶使能雙路反相，BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相，BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR

傾佳電子專業(yè)分銷基本?國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET，國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)，機(jī)車輔助電源，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī)，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本?SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！

汽車級(jí)全碳化硅功率模塊是BASiC基本?為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore?6?汽車級(jí)HPD模塊、?Pcore?2?汽車級(jí)DCM模塊、?Pcore?1?汽車級(jí)TPAK模塊、Pcore?2?汽車級(jí)ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等BASiC基本?最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，通過提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4

傾佳電子專業(yè)分銷BASiC基本?碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場(chǎng)景：

充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲(chǔ)能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級(jí)LLC中的SIC MOSFET方案

服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案

傾佳電子專業(yè)分銷的BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：

1.出類拔萃的可靠性：相對(duì)競(jìng)品較為充足的設(shè)計(jì)余量來確保大規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測(cè)在1700V左右，高于市面主流競(jìng)品，擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). 

2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。

BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競(jìng)品中是比較小的，帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競(jìng)品，特別適用于LLC應(yīng)用，典型應(yīng)用如充電樁電源模塊后級(jí)DC-DC應(yīng)用。

Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(zhǎng)。BASiC基本?第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競(jìng)品。

Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ?柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關(guān)過程中對(duì)切換時(shí)間起決定作用，高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。

Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。

傾佳電子專業(yè)分銷的基本?B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

? 比導(dǎo)通電阻降低40%左右

? Qg降低了60%左右

? 開關(guān)損耗降低了約30%

? 降低Coss參數(shù)，更適合軟開關(guān)

? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

? 最大工作結(jié)溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測(cè)試

? 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性

? 高可靠性鈍化工藝

? 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì)，降低高溫漏電流

? AEC-Q101

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。SiC MOSFET越來越多地用于高壓電源轉(zhuǎn)換器，因?yàn)樗鼈兛梢詽M足這些應(yīng)用對(duì)尺寸、重量和/或效率的嚴(yán)格要求.